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TV
应用说明
新一代TV超薄的外形，对背光电源的小型化、轻薄化提出了挑战。泓冠半导体提供了最丰富的表面贴装的高压和低压MOSFET，具有良好的EMI和出色的热性能.
线路图
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PFC（功率因数）、Flyback（反激）、LLC（谐振）：
MOSFET：VDS=650-700V Ron@10V（max）=140mΩ-680mΩ
HWD70SN650H56H、HWS11SN650H34H
Boost（升压）：N-channel MOSFET : VDS=30V Ron@10V（max）=1.65mΩ-6.4mΩ HWH15SN30D25K
SR(同步整流）：
N-channel SGT MOSFET & Trench MOSFET : VDS=40V-85V Ron@10V（max）＜10mΩ 封装形式PDFN HWH12SN60D41Q 、HWS95SN85D53Q
N-channel SGT MOSFET & Trench MOSFET : VDS=100V Ron@10V（max）=3.0-95mΩ HWS80SN100D65Q、
N-channel SGT MOSFET : VDS=150V Ron@10V（max）=2-65mΩ
HWS20SN150S56Q、HWS80SN150S12Q
地址：安徽省太湖县经济开发区龙山东路7号
地址：江苏省常熟市淼虹路188号
传真：0512-5158 3999
咨询热线：
0512-5267 9888
0556-4177 999
Copyright 江苏泓冠光电科技有限公司 版权所有 苏ICP备2021048252号-1
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