基站电源
随着移动通信网络业务向数据化、分组化方向发展,移动通信基站的发展趋势也必然是宽带化、大覆盖面建设及IP化。市场对于基站电源的应用需求也是逐渐提高,其中,通信功率转换系统的性能改善源于高压 MOSFET 导通电阻的降低,为了可实现当前高要求的均衡型能效目标,市场也在不断追求性能更加优异的MOSFET。 泓冠半导体推出的Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

PFC(功率因数校正)
SJ MOS :VDS=650V-700V Ron@10V(max)=40mΩ-160mΩ
HWS25SN650H12F、HWS25SN650H12H
LLC:
SJ MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=40mΩ-160mΩ
HWS25SN650H12F、HWS25SN650H12H
同步整流:
N-channel SGT MOS:VDS=40V-100V Ron@10V(max)<10mΩ
HWH20SN40D08Q、HWH15SN60D27Q、HWS90SN100D70Q