PD 快充
移动设备需要高功率密度、充电快的充电器,高功率密度电源可以通过提高开关频率来设计,以避免变压器和输出电容尺寸的显著增加。为了实现热性能,功率器件需要有更低的损耗,同时满足所有电磁干扰要求。MOS系列支持USB-PD(电源传输)要求,完全满足最新的USB-C Power Delivery标准

PFC(功率因数)、Flyback(反激)、LLC(谐振):
MOSFET:VDS=650-700V Ron@10V(max)=140mΩ-680mΩ
HWD70SN650H56H、HWS11SN650H34H、HWS15SN650H24H HWS20SN650H19H
SR:
沟槽型(Trench) &SGT 30V-150V MOSFET:
HWH11SN100D62Q、HWS90SN100D70Q、HWS60SN100D77Q、HWS80SN100D65Q
PD controller :
主推HWS30SN30D58P、HWS50SN30D40P